| 发明名称 |
FORMATION OF NARROW THERMALLY OXIDIZED SILICON SIDE ISOLATION REGION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MOS SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11163123(A) |
申请公布日期 |
1999.06.18 |
| 申请号 |
JP19980251621 |
申请日期 |
1998.09.04 |
| 申请人 |
MICROCHIP TECHNOL INC |
发明人 |
AMAND ROGER D ST;DEUTSCHER NEIL F;MA ROBERT P |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/314;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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