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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Silizidschicht durch Ionenimplantation
摘要
申请公布号 DE69227534(T2) 申请公布日期 1999.06.17
申请号 DE1992627534T 申请日期 1992.04.02
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 AUDET, SARAH ANNE, BERKELEY HEIGHTS, NEW JERSEY 07922-2038, US;RAFFERTY, CONOR STEFAN, BASKING RIDGE, NEW JERSEY 07920, US;SHORT, KENNETH THOMAS, NEW PROVIDENCE, NEW JERSEY 07974, US;WHITE, ALICE ELIZABETH, SUMMIT, NEW JERSEY 07901, US
分类号 H01L21/28;H01L21/265;H01L21/285;(IPC1-7):H01L21/285 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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