生长定向晶须列阵的方法和装置

摘要

本发明涉及在单晶衬底上生长定向晶须列阵的方法,该方法将待结晶材料从与晶须相同组分的固态源体气相迁移到覆盖着作为晶须生长成核/催化中心的液相颗粒的衬底上。源体的平面表面面对并且平行于衬底,以产生矢量－均匀的温度场,其梯度垂直于衬底和源。采用特殊设计的高频加热装置,其被安排在相对与高频电感器的特殊的位置上,来实现矢量－均匀温度场。激光器和/或灯热源既可以单独也可以组合用作高频热源。装置中,材料源被加热,衬底由材料源加热。在另一种情况下,衬底被加热,材料源由衬底加热。

主权项

1．一种在取向沿着给定材料最密堆集晶面的单晶衬底上生长优选地用于场电子发射器的定向晶须的方法，该方法是通过加热材料的气相沉积经溶剂颗粒有序地沉积在衬底上。其中，平行于衬底放置一个晶须生长用的固态材料源，其平面表面面对衬底。固态材料源的组分与所生长晶须的相同，这样，在衬底和源之间建立梯度垂直于衬底和源的矢量-均匀温度场。溶剂颗粒或者通过掩膜板蒸发或者通过光刻工艺沉积到衬底上。