具有选择性生长接触焊盘的半导体器件

摘要

一种半导体器件,具有利用各向异性硅选择性生长技术生长的接触焊盘,包括与扩散层交叉的第一字线,扩散层形成在衬底上并且被元件隔离区以直角包围,第二字线平行于形成在扩散层圆角部上的第一字线,扩散层的区域被第一和第二字线矩形分隔。从而实现从扩散层的区域各向异性生长硅选择性外延,避免因圆角部引起的各向同性生长劣化。

主权项

1．半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的元件隔离区； 形成在所述衬底上的扩散层，并且被所述元件隔离区所包围；与所述扩散层交叉的第一栅电极；形成在所述扩散层的端部上的第二栅电极，以便覆盖所述端部的角部；从所述扩散层的暴露部分选择性地生长的源或漏接触焊盘，所述暴露部分搭接地位于所述第一栅电极和所述第二栅电极的中间。