金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法

摘要

一种MIS型半导体器件及其制造方法,其特征在于在一个半导体衬底或半导体薄膜上选择地形成杂质区,而这些杂质区由从上面辐照的激光束或等效的强光辐照而激活,因而激光束或等效强光辐照在杂质区以及杂质区与邻接杂质区的激活区间的边界。

主权项

1．一种半导体器件，包括：一半导体层，在绝缘表面上形成，该半导体层内包括源区、漏源区和沟道区；一栅极，在沟道区上方形成，一绝缘膜介于两者之间：一阳极氧化膜，在栅极的至少一侧形成；其特征在于，所述沟道区延伸到所述栅极边缘外，形成一对补偿区；且所述栅极绝缘膜延伸到所述阳极氧化膜的外边缘外，覆盖住所述一对补偿区，但基本上没有覆盖所述源区和漏区。