发明名称 HIGH-SPEED BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100192980(B1) 申请公布日期 1999.06.15
申请号 KR19960053329 申请日期 1996.11.11
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, NAM-SOO
分类号 H01L21/328;H01L21/8222;(IPC1-7):H01L21/328;H01L21/822 主分类号 H01L21/328
代理机构 代理人
主权项
地址