| 发明名称 |
FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING BURIED CONTACT HOLE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100197336(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.15 |
| 申请号 |
KR19960008367 |
申请日期 |
1996.03.26 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
CHANG, HYUNG-SOON |
| 分类号 |
H01L27/11;(IPC1-7):H01L27/11 |
主分类号 |
H01L27/11 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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