首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 BURIED INTERCONNECTION STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 KR100200758(B1) 申请公布日期 1999.06.15
申请号 KR19960055860 申请日期 1996.11.20
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, IN-CHEOL;LEE, WON-SEONG
分类号 H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com