| 摘要 |
이 발명은 반도체 장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 하나의 매몰층 마스크 및 하나의 불순물 소스로써 상하층의 다른 농도 프로파일을 갖는 2층의 매몰층을 형성한다. 상기 2층의 매몰층은 저농도의 제1매몰층과 고농도의 제2매몰층으로 이루어진다. 상기 제1 및 제2매몰층의 농도 프로파일은 이용목적에 따라 역전될 수도 있다. 이 발명에 의하면 바이폴라 트랜지스터 또는 바이시모스 등의 반도체 장치를 제조하는 경우에 고내압이면서 고속인 반도체 장치를 실현할 수 있다. |
