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发明名称
METHOD OF FORMING POLY ELECTRODE IN MOS
摘要
申请公布号
KR100198602(B1)
申请公布日期
1999.06.15
申请号
KR19910015677
申请日期
1991.09.09
申请人
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD.
发明人
CHANG, SEI-JIN
分类号
H01L21/283;(IPC1-7):H01L21/283
主分类号
H01L21/283
代理机构
代理人
主权项
地址
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