发明名称 |
METHOD FOR FORMING AN ELEMENT ISOLATION REGION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
|
申请公布号 |
KR100196422(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.15 |
申请号 |
KR19950036190 |
申请日期 |
1995.10.19 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
YANG, HONG-HEONG |
分类号 |
H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|