| 主权项 |
1.一种以防污剂组合物处理热裂解熔炉管之方法,其系在包括介于1200℉至2000℉间之温度范围介于5psig至25psig间之压力之热裂解条件下热裂解前进行,以提供一种于热裂解条件下具有抑制焦碳生成性质之经处理管,该方法包含:于还原气体之氛团中,于介于300℉至2000℉间之温度及大气压至500psig之压力下,以防污剂组合物和该管接触,其中该防污剂组合物包含一有机锡化合物,其中该防污剂组合物于该还原气体气氛中之浓度,系介于1ppmw至10,000ppmw之范围内。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该还原气体包含氢气。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该有机锡化合物为四丁基锡。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中主要仅以有机锡化合物作为防污剂。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该防污剂组合物系进一步包含一有机矽化合物。6.根据申请专利范围第1.2.3.4或5项之方法,其中接触步骤系在1000℉至1300℉之温度范围内进行。7.一种降低存在于藉着烃类流经热裂解熔炉管子而产生之已裂解气体流中的一氧化碳浓度之方法,该方法包含:使用含一有机硫化合物的氢气、其中该硫化合物于该氢气中之浓度系介于自ppmw至10,000ppmw之范围内、与管子于介于300℉至2000℉间之温度及大气压至500psig之压力下接触,以处理该热裂解熔炉管,以提供具有抑制一氧化碳产生量的性质之经处理管;然后使烃类流经过该经处理管,同时保持该经处理管于包括介于1200℉至2000℉间之温度范围介于5psig至25psig间之压力之适当裂解条件下,以产生具有降低至该浓度以下之一氧化碳浓度之经裂解气流。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中该硫化物为二甲基硫。9.根据申请专利范围第7或8项之方法,其中该已降低浓度之一氧化碳,系为致使在该已裂解气流中之最高一氧化碳浓度占该已裂解气流之3重量百分比至5重量百分比之范围内者。图式简单说明:第一图提供热裂解制程系统之裂解熔炉部份图形之描述,其中该系统之管子乃经本新颖方法处理过。第二图为根据本发明方法处理过之管子及传统方法处理过之管子,于生产线裂解操作之已裂解气体流中,一氧化碳重量百分比对时间所做之图形。 |
