| 摘要 |
<p>Verfahren zur thermischen Verbindung von in einer Überdeckungslage angeordneten Anschlußflächen (19, 20) zweier Substrate (17, 18), wobei zumindest ein Substrat (18) transparent ausgebildet ist, und eine Beaufschlagung der Anschlußflächen (19, 20 ) mit Laserenergie von einer Rückseite (26) des transparenten Substrats (18) her erfolgt, wobei jede der zwischen zwei Anschlußflächen (19, 20) der gegenüberliegenden Substrate (17, 18) ausgebildeten Kontaktpaarungen (37) separat mit Laserenergie beaufschlagt wird.</p> |
