集成电路中阻止深结注入和硅化物形成的间隔物

摘要

本发明提供了一种在一个区域中有效形成深结注入而不会影响集成电路第二区域的注入的方法。它是通过使用与用于填充浅结器件间隙的材料相同的材料形成深结器件的间隔物来实现的。

主权项

1．一种用于形成一集成电路的方法，包括：提供一基底，它包括至少第一和第二区域，两者由隔离区域隔开，第一区域包括第一器件图形，它门由宽间隙隔开，第二区域包括第二器件图形，它们由窄间隙隔开，其中，第一和第二器件的侧面包括一由介电材料形成的第一间隔物；沉积一层间介电层，其厚度足以填充第二区域中的第二器件图形之间的窄间隙；蚀刻层间介电层，通过蚀刻在第一间隔物上的第一图形的侧面形成第二间隔物，并去除宽间隙上面的层间介电层，同时保持第一区域的窄间隙中填充有层间介电层；注入掺杂剂，从而为第一器件形成深结，其中，用来形成第一器件的第二间隔物的层间介电层保护第二区域，使之免受注入的影响。