| 发明名称 | 通过电子束辐射制作绝缘膜线路图形的方法 | ||
| 摘要 | 一种通过对形成于半导体基片上的绝缘膜制图以在绝缘膜内形成接孔,并露出半导体基片的一部分的工艺。所需出的部分用于在电子束辐射步骤中将基片接地从而防止绝缘膜与基片间界面的充电。 | ||
| 申请公布号 | CN1218278A | 申请公布日期 | 1999.06.02 |
| 申请号 | CN98124903.5 | 申请日期 | 1998.11.13 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小森基史 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件的方法，其特征在于包含如下步骤：在半导体基片上形成绝缘膜；通过辐射电子束对所述绝缘膜加工图形以在所述绝缘膜内形成接孔，所述制作图形暴露出所述半导体基片的第一部分，并将接地引线接到所述半导体基片的所述第一部分上。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||