| 发明名称 | 集成电路布线工艺 | ||
| 摘要 | 在集成电路中通过在半导体衬底的籽晶层上溅射镀膜实现金属布线;淀积光刻胶和光刻;在光刻胶开口处用电镀或化学镀方法淀积金属;剥离剩余光刻胶;和以比刻蚀电镀或化学镀方法淀积的金属快的速率优先刻蚀铜籽晶层的刻蚀方法刻蚀铜籽晶层。 | ||
| 申请公布号 | CN1218284A | 申请公布日期 | 1999.06.02 |
| 申请号 | CN98123994.3 | 申请日期 | 1998.11.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 西普里安·阿莫克·乌泽 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．用于提供集成电路中金属线的方法，包括在半导体衬底上溅射镀敷铜以提供约20至100nm的铜籽晶层；在上述铜籽晶层上淀积光刻胶和图形化所述光刻胶；在图形化光刻胶开口处裸露的铜籽晶层上电镀或化学镀金属；除去剩余的光刻胶；和使用比刻蚀电镀或化学镀的金属快的速率优先刻蚀上述铜籽晶层的刻蚀剂，刻蚀没有被电镀或化学镀的金属覆盖而暴露的铜籽晶层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||