| 发明名称 |
FORMING METHOD OF TITANIUM NITRIDE BARRIER LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING TITANIUM NITRIDE BARRIER LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11150087(A) |
申请公布日期 |
1999.06.02 |
| 申请号 |
JP19980193109 |
申请日期 |
1998.07.08 |
| 申请人 |
LSI LOGIC CORP |
发明人 |
ZHAO JOE W;HSIA WEI-JEN;CATABAY WILBUR G |
| 分类号 |
C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
C23C16/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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