Memory cell array and method of producing the same

摘要

In einer Speicherzellenanordnung mit Speicherzellen, in denen eine elektrische Verbindung zwischen polykristallinem Halbleitermaterial einer Kondensatorelektrode (14) und einem monokristallinen Halbleitergebiet (19) besteht, werden im Bereich der elektrischen Verbindung zwischen dem polykristallinen Halbleitermaterial und dem monokristallinen Halbleitergebiet Inseln (13) aus amorphem Material angeordnet. Die Inseln (13) werden insbesondere durch thermisches Aufbrechen einer durch thermische Oxidation gebildeten amorphen Schicht erzeugt. Die Speicherzellenanordnung ist insbesondere eine DRAM-Anordnung mit einem Grabenkondensator. <IMAGE>