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发明名称 MOS field effect transistor with an improved lightly doped diffusion region structure and method of forming the same
摘要
申请公布号 EP0910126(A3) 申请公布日期 1999.06.02
申请号 EP19980113823 申请日期 1998.07.23
申请人 NEC CORPORATION 发明人 IIBOSHI, NAOKI
分类号 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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