| 主权项 |
1.一种半导体元件,包含有:一半导体基部;一加热器,系由传导性材料形成在该半导体基部之上,该加热器包含有第一和第二臂部,分别自一加热部延伸至该半导体基部之上,以及一个开孔,垂直地延伸穿过该加热部;第一加热器接点,耦合至第一臂部的一末端上;第二加热器接点,耦合至第二臂部的一末端上;以及一层供该加热器加以加热的层,该层系形成在该开孔和该加热部之上,其中一条穿过该开孔中心的垂直轴心线延伸贯穿过该层的中心。2.如申请专利范围第1项之半导体元件,其中该开孔具有一个水平截面,其具有相对于该垂直轴心线对称的形状。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体元件,其中该加热部的中心是沿着该垂直轴心线对齐于该开孔和该层的中心。4.如申请专利范围中第1项之半导体元件,其中该加热部具有正方形的水平截面。5.如申请专利范围中第1项之半导体元件,其中该第一和第二臂部中至少有一者具有四边形的水平截面。6.如申请专利范围中第1项之半导体元件,其中该第一臂部系自该加热部沿着某一方向延伸一段第一长度至第一加热器接点上,而该第二臂部则是自该加热部上沿着大致上和该某一方向相反的方向延伸一段第二长度至第二加热器接点上,其中该等第一和第二长度均大于100微米。7.如申请专利范围中第1项之半导体元件,其中该半导体元件是一种半导体化学测感器元件,而该层供加热器加以加热的层包含有一个敏感层,用以侦测特定的化学品。8.一种用以形成如申请专利范围第1项之半导体元件的方法,包含有下列步骤:提供一个半导体基部;在该半导体基部上形成一层传导性材料;在该层传导性材料上开设纹路及蚀刻加工,以形成一加热器,该加热器包含有第一和第二臂部,分别自一加热部延伸至该半导体基部之上,以及一个开孔,垂直延伸穿过该加热部;在该加热器上形成一层绝缘层;在该绝缘层上形成一层供该加热器加以加热的层,而使其延伸至该加热部和该开孔之上,其中一条穿过该开孔中心的垂直轴心线延伸贯穿过该层的中心;在该绝缘层内形成第一和第二开孔,该第一开孔延伸至第一臂部的一末端上,该第二开孔延伸至第二臂部的一末端上;以及将金属沉积至该第一和第二开孔内,以分别做为第一和第二加热器接点。9.如申请专利范围第8项之形成半导体元件的方法,其中该半导体元件是一种半导体化学测感器元件,而该层供加热器加以加热的层则包含有一个敏感层,用以侦测特定的化学品。图式简单说明:第一图是已知之加热器的顶视图的放大简化图式。第二图是根据本发明之半导体化学测感器元件之一部份的顶视图的放大简化图式。第三图是根据本发明之具有圆形水平截面的加热器开孔的放大简化图式。第四图是根据本发明之具有菱形水平截面的加热器开孔的放大简化图式。第五图是根据本发明之具有正方形水平截面的加热器开孔的放大简化图式。第六图是第二图中之半导体化学测感器元件在X方向上的放大简化剖面图。第七图是第二图中之半导体化学测感器元件在Y方向上的放大简化剖面图。 |
