| 主权项 |
1.一种高电压准位移换器,包括:具有源极、汲极、和闸极的NMOS非反相输入电晶体;具有源极、汲极、和闸极的NMOS反相输入电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一NMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一PMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一NMOS反相居间电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的第一PMOS反相居间电晶体;其中NMOS非反相输入电晶体的汲极系耦接至第一NMOS非反相居间电晶体的源极;其中第一NMOS非反相居间电晶体的汲极系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的汲极;其中NMOS反相输入电晶体的汲极系耦接至第一NMOS反相居间电晶体的源极;其中第一NMOS反相居间电晶体的汲极系耦接至第一PMOS反相居间电晶体的汲极;其中第一NMOS非反相居间电晶体的闸极、第一PMOS非反相居间电晶体的闸极、第一NMOS反相居间电晶体的闸极、和第一PMOS反相居间电晶体的闸极系耦接至较正値高电源电压为低的第一居间电压。2.如申请专利第1项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的PMOS非反相输出电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的PMOS反相输出电晶体;其中PMOS非反相输出电晶体的汲极系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的源极;其中PMOS反相输出电晶体的汲极系耦接至第一PMOS反相居间电晶体的源极。3.如申请专利第2项之高电压准位移换器,其中PMOS非反相输出的汲极系耦接至PMOS反相输出的闸极;且其中PMOS反相输出的汲极系耦接至PMOS非反相输出的闸极。4.如申请专利第3项之高电压准位移换器,其中PMOS非反相输出的源极和PMOS反相输出的源极系耦接至正値高电源电压。5.如申请专利第2项之高电压准位移换器,其中NMOS非反相输入的源极和NMOS反相输入的源极系耦接至地电位的电源电压。6.如申请专利第2项之高电压准位移换器,其中非反相输入系耦接至NMOS非反相输入的闸极;其中反相输入系耦接至NMOS反相输入的闸极;其中非反相输出系耦接至非反相输出电晶体的汲极;且其中反相输出系耦接至反相输出电晶体的汲极。7.如申请专利第1项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的第二NMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第二PMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第二NMOS反相居间电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的第二PMOS反相居间电晶体;其中第二NMOS非反相居间电晶体的源极系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的源极;其中第二NMOS反相居间电晶体的源极系耦接至第一PMOS反相居间电晶体的源极;其中第二PMOS非反相居间电晶体的汲极系耦接至第二NMOS非反相电晶体的汲极;其中第二PMOS反相居间电晶体的汲极系耦接至第二NMOS反相电晶体的汲极;且其中第二NMOS非反相居间电晶体的闸极、第二PMOS非反相居间电晶体的闸极、第二NMOS反相居间电晶体的闸极、和第二PMOS反相居间电晶体的闸极系耦接至较第一居间电压为高且较正値高电源电压为低的第二居间电压。8.如申请专利第7项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的PMOS非反相输出电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的PMOS反相输出电晶体;其中PMOS非反相输出电晶体的汲极系耦接至第二PMOS非反相居间电晶体的源极;其中PMOS反相输出电晶体的汲极系耦接至第二PMOS反相居间电晶体的源极。9.如申请专利第8项之高电压准位移换器,其中第二居间电压系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的本体和第一PMOS反相居间电晶体的本体。10.一种高电压准位移换器,包括:具有源极、汲极、和闸极的NMOS非反相输入电晶体;具有源极、汲极、和闸极的NMOS反相输入电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一NMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一PMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一NMOS反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第一PMOS反相居间电晶体;其中NMOS非反相输入电晶体的汲极系耦接至第一NMOS非反相居间电晶体的源极;其中第一NMOS非反相居间电晶体的汲极系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的汲极;其中NMOS反相输入电晶体的汲极系耦接至第一NMOS反相居间电晶体的源极;其中第一NMOS反相居间电晶体的汲极系耦接至第一PMOS反相居间电晶体的汲极;其中第一NMOS非反相居间电晶体的闸极和第一NMOS反相居间电晶体的闸极系耦接至第一n-偏压居间电压;其中第一PMOS非反相居间电晶体的闸极和第一PMOS反相居间电晶体的闸极系耦接至第一p-偏压居间电压;其中第一n-偏压居间电压较第一p-偏压居间电压为高;其中第一n-偏压居间电压和第一p-偏压居间电压都较正値高电源电压为低。11.如申请专利第10项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的PMOS非反相输出电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的PMOS反相输出电晶体;其中PMOS非反相输出电晶体的汲极系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的源极;其中PMOS反相输出电晶体的汲极系耦接至第一PMOS反相居间电晶体的源极。12.如申请专利第11项之高电压准位移换器,其中PMOS非反相输出的汲极系耦接至PMOS反相输出的闸极;且其中PMOS反相输出的汲极系耦接至PMOS非反相输出的闸极。13.如申请专利第12项之高电压准位移换器,其中PMOS非反相输出的源极和PMOS反相输出的源极系耦接至正値高电源电压。14.如申请专利第11项之高电压准位移换器,其中NMOS非反相输入的源极和NMOS反相输入的源极系耦接至地电位的电源电压。15.如申请专利第11项之高电压准位移换器,其中非反相输入系耦接至NMOS非反相输入的闸极;其中反相输入系耦接至NMOS反相输入的闸极;其中非反相输出系耦接至非反相输出电晶体的汲极;且其中反相输出系耦接至反相输出电晶体的汲极。16.如申请专利第10项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的第二NMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第二PMOS非反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第二NMOS反相居间电晶体;具有源极、汲极、和闸极的第二PMOS反相居间电晶体;其中第二NMOS非反相居间电晶体的源极系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的源极;其中第二NMOS反相居间电晶体的源极系耦接至第一PMOS反相居间电晶体的源极;其中第二PMOS非反相居间电晶体的汲极系耦接至第二NMOS非反相电晶体的汲极;其中第二PMOS反相居间电晶体的汲极系耦接至第二NMOS反相居间电晶体的汲极;其中第二NMOS非反相居间电晶体的闸极和第二NMOS反相居间电晶体的闸极系耦接至第二n-偏压居间电压;其中第二PMOS非反相居间电晶体的闸极和第二PMOS反相居间电晶体的闸极系耦接至第二p-偏压居间电压;其中第二n-偏压居间电压较第二p-偏压居间电压为高;其中第二n-偏压居间电压和第二p-偏压居间电压都较第一n-偏压居间电压和第一p-偏压居间电压为高;且其中第二n-偏压居间电压和第二p-偏压居间电压都较正値高电源电压为低。17.如申请专利第16项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的PMOS非反相输出电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的PMOS反相输出电晶体;其中PMOS非反相输出电晶体的汲极系耦接至第二PMOS非反相居间电晶体的源极;其中PMOS反相输出电晶体的汲极系耦接至第二PMOS反相居间电晶体的源极。18.如申请专利第17项之高电压准位移换器,其中第二n-偏压居间电压系耦接至第一PMOS非反相居间电晶体的本体和第一PMOS反相居间电晶体的本体。19.一种高电压准位移换器,包括:具有源极、汲极、和闸极的NMOS非反相输入电晶体;具有源极、汲极、和闸极的NMOS反相输入电晶体;以串接方式连接互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对所形成的多数体,使得多数体有NMOS非反相居间源极、NMOS反相居间源极、PMOS非反相居间源极、PMOS反相居间源极,其中在多数体中的每一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对有非反相NMOS闸极、非反相PMOS闸极、反相NMOS闸极、和反相PMOS闸极;其中NMOS非反相输入电晶体的汲极系耦接至NMOS非反相居间源极;其中NMOS反相输入电晶体的汲极系耦接至NMOS反相居间源极;其中非反相NMOS闸极和每一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对中的反相NMOS闸极系耦接至对应之NMOS偏压电压;其中非反相PMOS闸极和每一个互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对中的反相PMOS闸极系耦接至对应之PMOS偏压电压。20.如申请专利第19项之高电压准位移换器,进而包括:具有源极、汲极、和闸极的PMOS非反相输出电晶体;和具有源极、汲极、和闸极的PMOS反相输出电晶体;其中PMOS非反相输出电晶体的汲极系耦接至PMOS非反相居间源极;其中PMOS反相输出电晶体的汲极系耦接至PMOS反相居间源极;其中PMOS非反相输出汲极系耦接至PMOS反相输出闸极;且其中PMOS反相输出汲极系耦接至PMOS非反相输出闸极。21.如申请专利第20项之高电压准位移换器,其中PMOS非反相输出的源极和PMOS反相输出的源极系耦接至正値高电源电压;且其中NMOS非反相输入的源极和NMOS反相输入的源极系耦接至地电位的电源电压。22.如申请专利第20项之高电压准位移换器,其中非反相输入系耦接至NMOS非反相输入的闸极;其中反相输入系耦接至NMOS反相输入的闸极;其中非反相输出系耦接至非反相输出电晶体的汲极;且其中反相输出系耦接至反相输出电晶体的汲极。23.如申请专利第19项之高电压准位移换器,其中和多数组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对相对应之多数个居间电压对与其对应之互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对的非反相NMOS闸极、反相NMOS闸极、非反相PMOS闸极、和反相PMOS闸极作偏压。24.如申请专利第23项之高电压准位移换器,其中多数个居间电压中的居间电压系随着多数组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对依序递增。25.如申请专利第19项之高电压准位移换器,其中和多数组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对相对应之多数个居间NMOS偏压电压对非反相NMOS闸极、反相NMOS闸极作偏压;且其中和多数组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对相对应之多数个居间PMOS偏压电压对非反相PMOS闸极、反相PMOS闸极作偏压。26.如申请专利第25项之高电压准位移换器,其中对每一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对而言,NMOS偏压电压较PMOS偏压电压为高。27.如申请专利第26项之高电压准位移换器,其中对每一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对而言,NMOS偏压电压较PMOS偏压电压高,其差値为N-型电晶体的临限电压加P-型电晶体的临限电压。28.如申请专利第27项之高电压准位移换器,其中多数个居间NMOS偏压电压中的居间NMOS偏压电压和多数个居间PMOS偏压电压中的居间PMOS偏压电压系随着多数组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对依序递增。29.如申请专利第19项之高电压准位移换器,其中对于具有较高电压的垂直相邻NMOS/PMOS串接居间电晶体对之每一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对,包括有连接至上方垂直相邻NMOS偏压电压的P-本体。30.如申请专利第29项之高电压准位移换器,其中对于具有较低电压的垂直相邻NMOS/PMOS串接居间电晶体对之每一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对,包括有连接至上方垂直相邻NMOS偏压电压的N-本体。图式简单说明:第一图所示者为具有互补式输入和差动输出的传统低电压准位移换器。第二图所示者为根据本发明之高电压准位移换器的共享-偏压实施例,有两个电压次范围、一组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对、和一个居间电压。第三图所示者为NMOS/PMOS串接居间电晶体对,系用于根据本发明之高电压准位移换器的共享-偏压实施例中。第四图所示者为根据本发明之高电压准位移换器的共享-偏压实施例,有三个电压次范围、两组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对、和两个居间偏压电压。第五图所示者为NMOS/PMOS串接居间电晶体对,系用于根据本发明之高电压准位移换器的分离-偏压实施例中。第六图所示者为根据本发明之高电压准位移换器的分离-偏压实施例,有三个电压次范围、两组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对、两个NMOS偏压电压、和两个PMOS偏压电压。第七图所示者为根据本发明之高电压准位移换器的双盆分离-偏压实施例,可将全部居间电晶体的本体效应减至最低,有七个电压次范围、六组互补式NMOS/PMOS串接居间电晶体对、六个NMOS偏压电压、和六个PMOS偏压电压。 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