| 主权项 |
1.一种旋转切割轮叶,其包括:一根旋转毂;一个叶缘,其系设置于旋转毂上沿其外周缘;及磨蚀颗粒,其系设置于叶缘上;该等磨蚀颗粒包括富勒林(fullerene)颗粒。2.如申请专利范围第1项之旋转切割轮叶,其中该磨蚀颗粒主要包含富勒林。3.如申请专利范围第1项之旋转切割轮叶,其中该磨蚀颗粒又包含钻石磨蚀颗粒。4.如申请专利范围第1项之旋转切割轮叶,其中该磨蚀颗粒又包含硼氮化碳颗粒。5.一种切割晶圆之方法,该方法包括一个藉旋转切割轮叶切割晶圆之步骤,该旋转切割轮叶包括:一根旋转毂;一个叶缘,其系设置于旋转毂上沿其外周缘;及磨蚀颗粒,其系设置于叶缘上;该等磨蚀颗粒包括富勒林颗粒。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该磨蚀颗粒主要包含富勒林。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该磨蚀颗粒又包含钻石磨蚀颗粒。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该磨蚀颗粒又包含硼氮化碳颗粒。9.一种制造半导体元件之方法,其包含一个切割半导体基材之步骤;该切割晶圆之步骤系藉旋转切割轮叶进行,该旋转切割轮叶包括:一根旋转毂;一个叶缘,其系设置于旋转毂上沿其外周缘;及磨蚀颗粒,其系设置于叶缘上;该等磨蚀颗粒包括富勒林颗粒。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该磨蚀颗粒主要包含富勒林。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该磨蚀颗粒又包含钻石磨蚀颗粒。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该磨蚀颗粒又包含硼氮化碳颗粒。图式简单说明:第一图A-第一图C为略图显示习知旋转切割轮叶之构造;第二图为略图显示附有切割线之半导体晶圆;第三图为略图显示于半导体晶圆形成的切割沟的细节;第四图为略图显示富勒林C60之分子结构;第五图为略图显示根据本发明之第一具体例之旋转切割轮叶构造;第六图为略图显示沉积富勒林颗粒于第五图之旋转切割轮叶之过程;第七图A-第七图C为略图显示第五图之旋转切割轮叶制造步骤;第八图为略图显示藉本发明之旋转切割轮叶达成的切屑抑制效果,比较使用习知旋转切割轮叶进行的习知切割制程;及第九图为略图显示本发明之第二具体例。 |
