| 主权项 |
1.一种静电放电保护元件的结构,形成于一半导体基底的内部电路区周缘,包括:一电晶体,形成于该半导体基底上,包括一闸极、一源极区与一汲极区;一金属矽化物层,形成于该闸极与该源极区上;以及一绝缘层,形成在该汲极区上。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该绝缘层包括氧化物。3.一种静电放电保护元件之制造方法,形成于一半导体基底的内部电路区周缘,包括下列步骤:a.在该半导体基底上形成一电晶体,该电晶体包括一闸极、一源极区与一汲极区;b.在该电晶体上覆盖一绝缘层;c.去除在该闸极上的该绝缘层;d.进行微影步骤,在该半导体基底上形成一光阻层,该光阻层覆盖住该闸极与该汲极区上的该绝缘层,且露出该源极区上的该绝缘层;e.以该光阻层为罩幕,去除露出在该源极区上的该绝缘层;f.去除该光阻层;以及g.进行自动对准金属矽化物的步骤,在该闸极与该源极区上形成一金属矽化物层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该绝缘层的厚度约2000埃左右。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该绝缘层包括氧化物。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤c的去除方式系为利用化学机械研磨法,研磨该绝缘层的表面直到露出该闸极为止,使得该闸极的表面没有该绝缘层的残余。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤e的去除方式系为利用蚀刻法,以该半导体基底为终止层,使得该源极区的表面没有该绝缘层的残余。8.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛。9.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该金属矽化物层包括矽化钴。10.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤g该金属矽化物层的形成方式系为在该闸极、该源极区上形成一金属层,然后进行热回火步骤,使得在高温下该金属层会与其下的矽反应,而产生该金属矽化物层。图式简单说明:第一图A至第一图D,其所绘示的为习知一种静电放电保护元件应用自动对准金属矽化物制程的剖面示意图;第二图A至第二图C,其所绘示的为习知一种静电放电保护元件应用自动对准金属矽化物制程的剖面示意图;以及第三图A至第三图E,其所绘示的为根据本发明之一较佳实施例,一种静电放电保护元件应用自动对准金属矽化物制程的剖面示意图。 |
