发明名称 METHOD FOR FORMING ELEMENT ISOLATION REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100190010(B1) 申请公布日期 1999.06.01
申请号 KR19950069742 申请日期 1995.12.30
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, CHANG-GU;KIM, JAE-DEOK
分类号 H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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