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发明名称 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING FLOATING GATE WITH IMPROVED INSULATION FILM QUALITY
摘要
申请公布号 KR100189092(B1) 申请公布日期 1999.06.01
申请号 KR19920021517 申请日期 1992.11.14
申请人 FUJITSU LIMITIED 发明人 KAJITA, TATSUYA
分类号 H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/105;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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