发明名称 |
HIGHLY INTEGRATED CMOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME |
摘要 |
|
申请公布号 |
KR100188010(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.01 |
申请号 |
KR19960044896 |
申请日期 |
1996.10.09 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
YU, JI-HYUNG |
分类号 |
H01L27/08;(IPC1-7):H01L27/08 |
主分类号 |
H01L27/08 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|