| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING GATE ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100190083(B1) |
申请公布日期 |
1999.06.01 |
| 申请号 |
KR19960034523 |
申请日期 |
1996.08.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
HONG, JONG-SOU |
| 分类号 |
H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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