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发明名称 METHOD FOR FORMING A PBL ELEMENT ISOLATION REGION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100189974(B1) 申请公布日期 1999.06.01
申请号 KR19950034567 申请日期 1995.10.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 KIM, YEONG-SEON;KIM, YEONG-DAE
分类号 H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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