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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING JUNCTION TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH11145156(A) 申请公布日期 1999.05.28
申请号 JP19970317779 申请日期 1997.11.05
申请人 NEC CORP 发明人 SAMEJIMA HIROYUKI
分类号 H01L21/265;H01L21/337;H01L29/808;(IPC1-7):H01L21/337 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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