SEMICONDUCTOR MEMORY USING FERROELECTRIC LAYER,申请号JP19970313358-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR MEMORY USING FERROELECTRIC LAYER
摘要
申请公布号	JPH11145411(A)	申请公布日期	1999.05.28
申请号	JP19970313358	申请日期	1997.11.14
申请人	ROHM CO LTD	发明人	NAKAMURA TAKASHI
分类号	H01L21/8247;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/10;H01L21/824	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
主权项
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