半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法

摘要

半导体器件包括MOS晶体管,其中源极、栅极及阱与地电势或源极线路的源极电势相连,而漏极与输入/输出线路相连,在此半导体器件的静电放电保护元件中,通过栅电极4限制阱接触孔与阱的接触面积,栅电极4是通过设置在阱接板8区域内的栅绝缘膜13而与阱12绝缘,其结果,很容易使MOS晶体管的寄生双极晶体管工作,并进行静电保护。相应地,可防止LSI中的MOS晶体管的静电击穿。

主权项

1、一种用于防止由于从外界到达包括MOS晶体管的集成电路的信号输入/输出部分的静电放电造成栅极绝缘击穿的半导体器件，其特征在于其通过一个设置在接触孔区域内的栅电极限制阱接孔与阱的接触面积，从而增大与阱的连接电阻。