| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种互补MOS半导体器件,其包含:具有多个场效应晶体管的互补MOS逻辑电路,作为向互补MOS逻辑电路提供电源电压的电源的第一线路及第二线路;控制从所述第一线路向所述互补MOS逻辑电路提供的电源电压的第一电源电路;控制从所述第二线路向所述互补MOS逻辑电路提供的电源电压的第二电源电路;及控制第一电源电路操作的第三电源电路;所述第三电源电路包括每个都具有厚度大于或等于2.5nm栅绝缘膜的场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1217578A | 申请公布日期 | 1999.05.26 |
| 申请号 | CN98124728.8 | 申请日期 | 1998.11.12 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 伊藤浩;佐佐木诚 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L29/78 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种互补MOS半导体器件，其特征在于包含：具有多个场效应晶体管的互补MOS逻辑电路，作为向互补MOS逻辑电路提供电源电压的电源的第一线路及第一线路；用于控制从所述第一线路向所述互补MOS逻辑电路提供的电源电压的第一电源电路；用于控制从所述从所述第二线路向所述互补MOS逻辑电路提供的电源电压的第二电源电路；及用于控制所述第一电源电路操作的第三电源电路；其中所述第三电源电路包括每个都具有厚度大于或等于2.5nm栅绝缘膜的场效应晶体管。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||