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发明名称 Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of (CH3F or CH2F2) and CF4 and O2
摘要
申请公布号 EP0869545(A3) 申请公布日期 1999.05.26
申请号 EP19980301668 申请日期 1998.03.06
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 BROOKS, CYNTHIA B.;MERRY, WALTER;JOSHI, AJEY M.;QUINONES, GLADYS D.;TREVOR, JITSKE
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/311 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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