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发明名称
双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法
摘要
一种双电极单晶硅电容加速度传感器,包括一质量块,至少两根弹性梁,若干细长片,由底部挖孔的硅外延层构成,支撑弹性梁的台座,上部由硅外延层构成,下部由氧化层将其与衬底隔开,起电绝缘作用,细长片侧面用来制作横向可变电容器的活动电极,质量块和细长片的底面用来制作纵向可变电容器的活动电极,横向可变电容器的固定电极由若干与衬底电绝缘但与衬底硬连接的细长片构成,纵向可变电容器的固定电极由衬底面构成。
申请公布号
CN1217470A
申请公布日期
1999.05.26
申请号
CN97121626.6
申请日期
1997.11.11
申请人
李韫言;涂相征
发明人
涂相征;李韫言
分类号
G01P15/125;H01L49/00
主分类号
G01P15/125
代理机构
代理人
主权项
1.一种双电极硅单晶电容加速度传感器,其特征为包括:一硅外延片由硅单晶衬底和同质硅单晶外延层组成;一惯性质量块,为所说外延层的一部分,底部有空气层将与所说衬底隔开;至少两根弹性梁,对称托起所说质量块,为所说外延层的一部分,其底部有空气层将其与所说衬底隔开;若干第一类细长片,从所说质量块的两相对边平行伸出,分布在所说弹性梁两侧,与所说弹性梁平行,为所说外延层的一部分,底部有空气层将其与所说衬底隔开;至少两个中心区下凹的台座,支撑所说弹性梁,上部为所说外延层的一部分,底部有氧化层将其与所说衬底进行电隔离;若干第二类细长片,与所说第一类细长片平行交错间隔排列,上部为所说外延层的一部分,底部有氧化层将其与所说衬底进行电隔离;若干网格状连接部,与所说第二类细长片相连,上部为所说外延层的一部分,底部有氧化层将其与所说衬底进行电隔离;一导电层,覆盖所说质量块,弹性梁,第一类细长片的底面,覆盖所说第一类细长片,第二类细长片,台座,连接部的侧面,以及所说空气层的顶面,底面,和周围表面;以所说质量块底面为活动电极,空气隔层底面为固定电极构成纵向电容加速度传感器;以所说第一类细长片侧面为活动电极,第二类细长片侧面为固定电极构成横向电容加速度传感器。
地址
100083北京市912信箱
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