| 发明名称 | 用于布线的铝膜形成方法 | ||
| 摘要 | 用铝膜使空隙消失并且完全掩埋在层间绝缘膜等上形成的高长宽比的接触孔和通孔。在包括接触孔13内的绝缘膜12的表面上,形成相对于铝的化学气相淀积具有核形成作用的核形成层,接着,在包括接触孔13内壁的绝缘膜12的表面上,通过化学气相淀积形成比接触孔13的半径中最小半径薄的膜厚的铝膜15。随后,在铝膜15的表面被自然氧化膜覆盖前进行热处理,并进行铝的回流,以使接触孔13内部完全被铝膜15掩埋。 | ||
| 申请公布号 | CN1217569A | 申请公布日期 | 1999.05.26 |
| 申请号 | CN98124716.4 | 申请日期 | 1998.11.10 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 菅井和己 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768;C23C16/00 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1．一种用于布线的铝膜形成方法，在基片上形成的非平坦表面的绝缘膜上形成铝膜，其特征在于：相对于所述绝缘膜的表面，按化学气相淀积法形成铝膜，随后，在所述铝膜的表面被自然氧化膜覆盖前进行热处理。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||