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发明名称 Buried-strap formation in a dram trench capacitor
摘要
申请公布号 SG64968(A1) 申请公布日期 1999.05.25
申请号 SG19970000351 申请日期 1997.02.17
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. 发明人 STENGL, REINHARD, J.;HAMMERL ERWIN;MANDELMAN, JACK, A.;HO, HERBERT, L.;SRINIVASAN RADHIKA;SHORT, ALVIN, P.
分类号 H01L27/00;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/04;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/70;H01L27/10;H01L21/82 主分类号 H01L27/00
代理机构 代理人
主权项
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