发明名称 靶的处理基体用之处理装置
摘要 本发明之处理装置具有一个可开启窗部供运送目标处理基材,及一个入口供引进外界气氛。热处理装置包括一个密闭处理室供对经由窗部运送的目标处理基材进行预定的处理;一个通风装置供将处理室内部抽真空,及一个开/闭机制供关闭入口及当处理室内部压力为负压时,打开入口。
申请公布号 TW358982 申请公布日期 1999.05.21
申请号 TW086112311 申请日期 1997.08.27
申请人 东京威力科创有限公司 发明人 饱本正已
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种处理目标处理基材用之处理装置,包括:一个密闭处理室,其系供对目标处理基材执行预定的处理;一个可开启窗部,成形于处理室内及用以运送目标处理基材;一个入口,成形于处理室而引进外界气氛;通风装置,其系供将处理室内部抽真空;及一个开/闭机制,其系供于处理室压力非为负压时关闭入口,而于处理室压力为负压时开启入口。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该开/闭机制包含一片开/闭板,沿轴向方向支撑而开/闭该入口;及一个对重,可平衡该开/闭板而使开/闭板于处理室内压力非为负压时,关闭入口而于处理室内压力为负压时,开放入口。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中该窗部需成形于处理室之前表面,该入口系成形于处理室之上表面;及该通风装置系成形于处理室下方。4.如申请专利范围第3项之装置,其又包括:一片分隔板,设置于处理室内,其具有一个通风孔且分隔处理部与其上方入口。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该分隔板于恰位于入口下方之分隔板预定区域以外之区域具有通风口。6.一种清洁目标处理基材用之处理装置包括:清洁装置,其系供使用清洁溶液及清洗溶液清洁目标处理基材;一个循环系统,偶联至清洁装置而循环由清洁装置用过的清洁溶液,及再循环该清洁溶液至该清洁装置;及一个泄放系统,偶联至该清洁装置供排放由清洁装置用过的清洗溶液。7.如申请专利范围第6项之装置,其中该清洁装置包含一个容纳部,具有双杯构造,其中形成可供装载/卸载目标处理基材之开口部,而内杯之开口部所在高度比外杯之开口部低,一个旋转部,供固持及旋转与容纳部内之目标处理基材,及一个注入部,供注入清洁溶液及清洗溶液之一至内杯及外杯内部由旋转部旋转的目标处理基材,该循环系统循环由内杯及外杯之一回收的清洁溶液及再循环该清洁溶液至注入部,及该泄放系统排放由内杯及外杯之另一者回收的清洗溶液。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该注入部注射清洁溶液及清洗溶液之一者至目标处理基材之上表面及下表面。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该注入部注射清洁溶液至内杯内部由旋转部旋转的目标处理基材下表面;及注射清洗溶液至外杯内部藉旋转部旋转的目标处理基材之上表面及下表面,该循环系统循环由内杯回收之清洁溶液及再循环该清洁溶液至注入部,及该泄放系统排放由外杯回收的清洗溶液。10.如申请专利范围第7项之装置,其中该注入部注射清洁溶液至外杯内部由旋转部旋转的目标处理基材下表面及注射清洗溶液至外杯外部藉旋转部旋转的目标处理基材之上表面及下表面,该循环系统循环由外杯回收之清洁溶液及再循环该清洁溶液至注入部;及该泄放系统排放由内杯回收的清洗溶液。11.如申请专利范围第7项之装置,其又包括:一个控制部,供控制具有双杯构造之容纳部与固持目标处理基材之旋转部间之垂直相对位置关系。12.一种清洁装置包括:一个注入部,其系供使用单一注入喷嘴交替注射清洁溶液及清洗溶液至目标处理基材;及一种排放装置,其系供于注入部注射清洁溶液及清洗溶液至目标处理基材之前,由注入喷嘴排放清洁溶液及清洗溶液经历一段预定时间。13.如申请专利范围第12项之装置,其又包括:一个循环系统,其系供回收及循环由注入喷嘴排放的清洁溶液及再循环清洁溶液至注入部。14.一个清洁目标处理基材用之处理装置包括:一个注入部,其系供使用单一注入喷嘴交替注射清洁溶液及清洗溶液至目标处理基材;一个清洁溶液回收部,其系供回收由注入喷嘴注入的清洁溶液;一个清洗溶液回收部,其系供回收由注入喷嘴注入的清洗溶液;排放装置,其系供于注入部注射清洁溶液至目标处理基材前,由注入喷嘴排放清洁溶液至清洁溶液回收部经历一段时间,及排放装置,其系供于注入部注入清洗溶液至目标处理基材前,由注入喷嘴排放清洗溶液至清洗溶液回收部经历一段时间;及一个循环系统,其系供循环由清洁溶液回收部回收的清洁溶液及再循环清洁溶液于注入部。15.如申请专利范围第14项之装置,其又包括:喷嘴运动装置,其系供运动注入喷嘴介于注入部、清洁溶液回收部与清洗溶液回收部间,其中该清洁溶液回收部系设置毗邻注入部,该清洗溶液回收部系设置毗邻注入部,及该排放装置使喷嘴运动装置移动注入喷嘴至清洁溶液回收部而于排放装置,其系供于注入部注入清洁溶液至目标处理基材前,由注入喷嘴排放清洁溶液至清洁溶液回收部经历一段时间;以及使该运动装置移动该注入喷嘴至清洗溶液回收部而于排放装置,其系供于注入部注入清洗溶液至目标处理基材前,由注入喷嘴排放清洗溶液至清洗溶液回收部经历一段时间。16.一种清洁装置,包括:一个注入部,其系供使用单一注入喷嘴交替注射清洁溶液及清洗溶液至目标处理基材;一个附有双杯构造之回收部,其系设置毗邻注入部且具有一个内盖供回收由注入喷嘴注入的清洁溶液及清洗溶液之一,及一个外盖供回收另一种溶液;喷嘴运动装置,其系供移动注入喷嘴介于注入部与回收部间;装置,其系供于注入部注射清洁溶液至目标处理基材前,使喷嘴运动装置运动注入喷嘴至二杯之一而由注入喷嘴排放清洁溶液经历一段预定时间,及于注入部注射清洗溶液至目标处理基材之前,使喷嘴运动装置移动注入喷嘴至另一杯而由注入喷嘴排放清洗溶液经历一段预定时间;及一个循环系统,其系供循环由清洁溶液回收部回收的清洁溶液及再循环清洁溶液于注入部。图式简单说明:第一图为显示习知处理室之示意配置视图第二图为采用本发明之具体例之半导体晶圆清洁装置之整体配置平面图。第三图为第二图所示,清洁装置之前视图。第四图为第二图所示,清洁装置之后视图。第五图为第二图所示,清洁单元之纵剖面图。第六图为第五图所示,清洁单元沿线6-6之视图。第七图为第五图所示,清洁单元沿线7-7之视图。第八图为第七图所示,开/闭机制之放大透视图。第九图为第五图所示,清洁单元沿线9-9之视图。第十图为显示藉本具体例之开/闭机制进行开/闭操作范例之视图。第十一图为显示藉本具体例之开/闭机制进行开/闭操作范例之视图。第十二图为显示藉本具体例之开/闭机制进行开/闭操作范例之视图。第十三图为采取本发明之另一具体例之半导体晶圆清洁装置之整体配置平面图。第十四图为第十三图所示,清洁装置之前视图。第十五图为第十三图所示,清洁装置之后视图。第十六图为第十三图所示,清洁装置之纵剖面图。第十七图为第十三图所示,清洁装置之平面图。第十八图为第十七图所示,清洁单元之暂置配送器之剖面图。第十九图为显示第十三图所示,清洁装置内清洁溶液及DIW之循环及排放系统之配置图;及第二十图为第十九图所示,注入喷嘴与开关部间之间隔之放大图。
地址 日本