| 主权项 |
1.一种具保护层之晶片透孔加工法,其系应用于在一晶片上形成至少一个透孔之制造加工上,其步骤包含:(1)提供一承载基面;(2)放置该晶片于该承载基面上;(3)于该承载基面与该晶片之间;形成一反射透过穿孔的粒子群之保护层;以及(4)以一快速移动之粒子群撞击该晶片之一特定区域以形成该透孔。2.如申请专利范围第1项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该承载基面包含:一托盘,系以承载该晶片;以及一隔离物,该隔离物位于该托盘与该保护层之间,其系以隔离该托盘与该保护层。3.如申请专利范围第2项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该隔离物系为一纸制材质。4.如申请专利范围第1项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该保护层系为一水溶性之胶状物。5.如申请专利范围第4项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该水溶性之胶状物系为一IPS(IMAGE PRO SUPER)接着剂。6.如申请专利范围第5项所述之具保护层之晶片透孔加工法,系将该IPS(IMAGE PRO SUPER)接着剂置于80℃至120℃的温度下,烘烤一分钟至五分钟,俾形成该保护层。7.如申请专利范围第1项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该快速移动之粒子群,系由一喷砂机经一精密喷头,喷出之复数个砂粒所形成。8.如申请专利范围第1项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中在(3)步骤后,更包含下列步骤:(a)提供一遮罩;(b)于该遮罩上形成一镂空区域;(c)放置该遮罩于晶片上方;以及(d)以一快速移动之粒子群撞击该遮罩,俾得该晶片相对于该镂空区域位置处,形成该透孔。9.如申请专利范围第8项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中之该遮罩的材料系为一高分子聚合物之透明膜。10.如申请专利范围第9项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该高分子聚合物系选自聚酯中之一物质为之。11.如申请专利范围第8项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中系用一雷射加工技术于该遮罩上形成复数个镂空区域。12.如申请专利范围第8项所述之具保护层之晶片透孔加工法,其中该快速移动之粒子群,系由一喷砂机喷出之复数个砂粒所形成。图式简单说明:第一图:本案之习用喷砂透孔中砂粒反弹之破坏情形。第二图(a):本案之保护层之形成方式。第二图(b):本案之保护层之保护方式。第三图:本案之晶片在保护层之保护下完成透孔加工的示意图。 |
