金属矽化物生成方法

摘要

一种金属矽化物之生成方法，对于已作前置处理，且欲于其上生成金属矽化物之矽基板，先施以渗氮处理，该渗氮处理可运用低能电浆，如电感藕合产生的氮电浆ICNP(Inductively-Coupled Nitrogen Plasma)来实施。随后，可于一般的金属镀膜系统中，将金属镀至该矽基板上。完成后，可对该金属镀膜再施以渗氮处理。之后，可藉知的热处理制程，以生成金属矽化物。其中该所采用的金属可为钛。由于先将氮渗入矽基板的表层，以形成超薄均匀的含氮层，可防止在金属沉积前，矽自生氧化的产生。使金属与矽能均匀的反应，以产生高品质且厚度均匀的金属矽化物以及较平整的金属矽化物与矽基板的界面。另外由于表层渗氮的金属，在第一阶段的矽化反应时，能立即生成高品质的金属氮化物，来阻绝矽原子在金属矽化物表层的扩散，因而免除金属矽化物横向生长所造成的问题。同时在矽基板表面渗氮处理时，氮原子扩散至元件区周边的二氧化矽与矽晶的界面处(如场氧化层边缘、闸极边缘、间隔物边缘等．．．)，因而降低界面能态密度，改善电气特性。

主权项

1.一种金属矽化物生成方法,包括:提供一矽基板;对该矽基板表层进行渗氮处理;将金属镀至该已渗氮之矽基板上;以及对该已镀上金属之矽基板进行热处理,以生成金属矽化物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中更包括:于进行热处理之前,对镀于该矽基板之金属,进行渗氮处理。3.一种金属矽化物生成方法,包括:提供一矽基板;将金属镀至该矽基板上;对镀于该矽基板之金属进行渗氮处理;以及对已渗氮处理之该金属及该矽基板进行热处理,以生成金属矽化物。4.如申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该金属为钛。5.如申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该渗氮处理,可运用低能电浆的方式来实施。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该低能电浆为电感藕合产生的氮电浆。图式简单说明:第一图系为依本发明之实施例所得之电阻系数与习知技艺之比较;第二图系为依本发明之实施例所得之二极体漏电量测结果之平均値,与习知技艺之比较;第三图系为依本发明之实施例所获致的隔离效果,与习知技艺之比较;第四图系为依本发明之实施例所得之闸极与源极间漏电之电压一电流曲线,与习知技艺之比较;