| 主权项 |
1.一种去除晶片上聚合物之方法,首先在一晶片上已形成有一保护层,在该保护层上存在有复数个聚合物杂质,然后包括下列步骤:进行乾蚀刻法,其蚀刻剂中包括有氟化氮;以及进行乾蚀刻去除法,用以去除该些聚合物杂质。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该乾蚀刻法所使用的蚀刻剂更包括四氟甲烷、三氟甲烷、氟化氮(NF3)和氩气等多种反应气体。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该乾蚀刻法所使用的机台系为美国Applied Material公司的MxP+机台。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该乾蚀刻去除法所使用的蚀刻剂包括六氟乙烷。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该乾蚀刻去除法所使用的蚀刻剂包括氧气、六氟乙烷和电浆。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该乾蚀刻去除法所使用的机台系为美国Mattson机台。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中不包括进行湿蚀刻的步骤。图式简单说明:第一图,其所绘示的是习知一种去除晶片上聚合物杂质方法之流程图;第二图,其所绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种去除晶片上聚合物杂质方法之流程图;第三图A,其所绘示的是习知一种去除晶片上聚合物杂质方法[仅有乾蚀刻(未加氟化氮)与乾蚀刻去除法]之实际结果的照片示意图;以及第三图B,其所绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种去除晶片上聚合物杂质方法之实际结果的照片示意图。 |
