| 摘要 |
<p>Cette photodiode à semiconducteur (100) est conçue pour que sa face arrière (135) soit sensible à la lumière, au moyen de contact électriques formés sur sa face antérieure (105). On peut monter cette photodiode (100) sur une surface, comme par soudure, sur un support (190), la face arrière (135) sensible à la lumière étant dirigée vers le haut. Un filtre solidaire (139) placé sur la face arrière (135) confine la lumière atteignant le substrat à semiconducteur (101), afin que celle-ci possède des longueurs d'onde voulues. Dans un mode de réalisation, la photodiode (100) comprend également des couches opaques solidaires (130, 142) sur les faces avant et arrière du substrat (101). La couche opaque arrière (142) présente une ouverture, afin de permettre à la lumière d'atteindre la face arrière (135) au voisinage d'une région active (102). Dans un autre mode de réalisation, cette photodiode (100a) est conçue pour présenter une sensibilité double face à la lumière, le côté antérieur (105) faisant face à une ouverture (200a) ménagée à travers le support (190a).</p> |
