Herstellung von einem vorbeschriebenem Muster über eine Halbleitervorrichtungsschicht,申请号DE19896028856T-传众专利搜索

发明名称	Herstellung von einem vorbeschriebenem Muster über eine Halbleitervorrichtungsschicht
摘要
申请公布号	DE68928856(T2)	申请公布日期	1999.05.20
申请号	DE19896028856T	申请日期	1989.08.15
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	OKUMURA, KATSUYA, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO, JP;WATANABE, TOHRU, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO, JP;WATASE, MASAMI, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号	H01L21/302;H01L21/033;H01L21/208;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/3213;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/321	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
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