| 主权项 |
1、具有一对转移MOS晶体管、一对驱动MOS晶体管和一对负载元件的静 态存储单元，包括： 在半导体衬底表面上形成的第一驱动MOS晶体管； 在所述半导体衬底表面上形成的第二驱动MOS晶体管； 与所述第一驱动MOS晶体管的漏极区和所述第二驱动MOS晶体管的栅极电 极连接的第一负载元件； 与所述第二驱动MOS晶体管的漏极区和所述第一驱动MOS晶体管的栅极电 极连接的第二负载元件；所述第一驱动MOS晶体管、所述第二驱动MOS晶体管、 所述第一负载元件和所述第二负载元件组成了一触发器电路， 在所述半导体衬底表面上形成的第一转移MOS晶体管，所述第一转移MOS 晶体管的源极和漏极区中的一个与所述第一驱动MOS晶体管的漏极区连接； 在所述半导体衬底表面上形成的第二转移MOS晶体管，所述第二转移MOS 晶体管的源极和漏极区中的一个与所述第二驱动MOS晶体管的漏极区连接； 在所述第一驱动MOS晶体管、所述第二驱动MOS晶体管、所述第一转移MOS 晶体管的所述第二转移MOS晶体管上形成的层间绝缘膜； 在所述层间绝缘膜上形成的第一位线，所述第一位线与所述第一转移MOS 晶体管的源极和漏极区中的另一个连接； 在所述层间绝缘膜上形成的第二位线，所述第二位线与所述第二转移MOS 晶体管的源极和漏极中的另一个连接； 在所述层间绝缘膜上形成的字线，所述字线与所述第一转移MOS晶体管的 栅极电极和所述第二转移MOS晶体管的栅极电极连接。 |
