| 发明名称 | 互补型金属氧化物晶体管半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造包括nMOSFET和pMOSFET的CMOS半导体器件的方法,包括(a)在半导体衬底上形成栅绝缘膜;在栅绝缘膜上形成第一导电膜;在第一导电膜上形成层间绝缘膜;在层间绝缘膜上形成第二导电膜;在要制造nMOSFET的第一区中和要制造pMOSFET的第二区中,将第一导电膜、层间绝缘膜和第二导电膜成形为栅极形状;将n－型杂质搀杂到第一区中,将p－型杂质搀杂到第二区中。该方法可以防止由钛原子的扩散引起的栅绝缘膜的绝缘电压减少,而不使栅极消耗。 | ||
| 申请公布号 | CN1216860A | 申请公布日期 | 1999.05.19 |
| 申请号 | CN98123573.5 | 申请日期 | 1998.11.02 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 伊藤浩 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1．一种CMOS半导体器件，包括：(a)半导体衬底(1)；(b)形成在半导体衬底(1)上的栅绝缘膜(5)；和(c)形成在栅绝缘膜(5)上的栅极(10)，其特征在于，栅极(10)包括：(c-1)形成在栅绝缘膜(5)上的第一导电膜(6)；(c-2)形成在第一导电膜(6)上的层间绝缘膜(7)；和(c-3)形成在层间绝缘膜(7)上的第二导电膜(8)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||