Verfahren zur Herstellung eines Polysilizium-Dünnfilmtransistors,申请号DE1992628868-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Polysilizium-Dünnfilmtransistors
摘要
申请公布号	DE69228868(D1)	申请公布日期	1999.05.12
申请号	DE1992628868	申请日期	1992.01.08
申请人	MINNESOTA MINING AND MFG. CO., SAINT PAUL, MINN., US	发明人	TRAN, NANG, T., SAINT PAUL, MN 55133-3427, US;KEYES, MICHAEL, P., SAINT PAUL, MN 55133-3427, US
分类号	H01L21/20;H01L21/265;H01L21/30;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
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