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发明名称 Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung
摘要
申请公布号 DE69508885(D1) 申请公布日期 1999.05.12
申请号 DE19956008885 申请日期 1995.10.16
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 SOEJIMA, NORIYUKI, C/O FUKURYO SEMICONDUCTOR, NISHI-KU, FUKUOKA-SHI, FUKUOKA 819-01, JP
分类号 H01L21/329;H01L29/32;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/861 主分类号 H01L21/329
代理机构 代理人
主权项
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