光掩膜及其曝光方法

摘要

一种光掩膜上带有多个在用于所述半导体器件的各图形部分相对的位置处通过特定光束的主孔,所通过的光束照到由多个图形部分构成的部位,该光掩膜还包括至少一个具有比所述各主孔小的副孔,每个副孔位于所述主孔之间并在其中通过一定的光,所通过的光在曝光时不会转印到所述基片的表面上,这些副孔位于主孔之间。

主权项

1、一种用于形成半导体器件的图案的多个图形部分的至少一部分的光掩膜，其特征在于，所述的光腌膜中包括多个主孔，其中每个主孔中通过照到至少由多个图形部分构成的与用于所述半导体器件的各图形部分相对的位置处的各部位的特定光束，所述光掩膜还包括至少一个具有比所述各主孔小的副孔，每个副孔位于所述主孔之间并在其中通过一定的光，所通过的光在曝光时不会转印到所述基片的表面上。