具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法

摘要

具有由掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法。按照本制造方法,在半导体衬底上形成具有接触孔的内绝缘层图形,在内绝缘层图形的整个表面形成掺杂多晶硅层以填充接触孔。在供给含碳气体和含氧气体的情况下,对掺杂多晶硅层进行平面刻蚀,以阻止深刻蚀多晶硅层的去除和碳原子层的建立。在深刻蚀多晶硅层上形成金属硅化物层,然后对金属硅化物层和深刻蚀多晶硅层顺序图形化以形成互连。

主权项

1．一种半导体器件的制造方法，包括步骤：a)在半导体衬底上形成内绝缘层；b)在形成有内绝缘层图形的所得结构的整个表面上形成掺杂多晶硅层；c)在额外供给含碳气体和含氧气体的情况下平面刻蚀掺杂多晶硅层，以在内绝缘层图形上形成深刻蚀多晶硅层；d)在深刻蚀多晶硅层整个表面上形成金属硅化物层。