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发明名称 HALBLEITER-HETEROSTRUKTUR, DIE EINE II-VI-VERBINDUNG ENTHÄLT, IN OHMSCHEM KONTAKT MIT EINEM p-GaAs SUBSTRAT
摘要
申请公布号 DE69505341(T2) 申请公布日期 1999.05.12
申请号 DE19956005341T 申请日期 1995.04.24
申请人 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL 发明人 MENSZ, PIOTR, OSSINING, NY 10562, US
分类号 H01L29/221;H01L29/267;H01L33/00;H01L33/28;H01S5/00;H01S5/042;H01S5/327;H01S5/347;(IPC1-7):H01L33/00;H01S3/19 主分类号 H01L29/221
代理机构 代理人
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