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发明名称 Method of forming a polysilicon buried contact and a structure thereof
摘要
申请公布号 EP0877420(A3) 申请公布日期 1999.05.12
申请号 EP19980201812 申请日期 1992.07.30
申请人 STMICROELECTRONICS, INC. 发明人 KALNITSKY, ALEXANDER
分类号 H01L21/28;H01L21/302;H01L21/74;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/74 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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